韓國科學技術院（KAIST）1月28日宣布，該校電氣電子工程系金相鉉教授的研究團隊，與仁荷大學金相鉉教授團隊合作，并聯合QSI、Laontech兩家企業，成功開發出一種超高分辨率紅色MicroLED顯示技術，該技術可顯著降低設備功耗。

研究團隊實現了1700 PPI的超高分辨率MicroLED顯示屏，其分辨率約為當前最新智能手機顯示屏的3至4倍。借助該技術，即便應用于虛擬現實（VR）和增強現實（AR）設備，也能呈現出“逼真的圖像效果”，徹底擺脫傳統高分辨率屏幕常見的視覺瑕疵。

Micro LED是一種像素自身可發光的顯示技術。相較于OLED技術，它具備更高亮度、更長使用壽命及更高能效的優勢，但同時面臨兩大核心挑戰，即紅色LED的低發光效率與器件傳輸工藝的局限性。

此次研究團隊成功攻克了這兩大難題。首先，該團隊采用磷化鋁銦/磷化鎵銦（AlInP/GaInP）量子阱結構，研發出高效紅色MicroLED，即便將像素尺寸縮小，其能量損失也幾乎為零。

量子阱技術的核心原理是通過構建能量勢壘，將電子束縛在特定發光區域內防止逃逸。這一特性使得即便像素尺寸縮小，也能有效減少能量損耗，進而制造出亮度更高、能效更優的紅色MicroLED。

此外，團隊并未采用傳統的逐個轉移LED的加工方式，而是創新應用單片3D集成技術，將整個LED層直接堆疊在驅動電路之上。這種技術方案可有效降低器件對準誤差與缺陷率，為超高分辨率顯示器的穩定量產提供了可能。同時，研究團隊還掌握了低溫加工技術，避免了加工過程中驅動電路受損的問題。

該研究成果具有重要意義，它首次證實了超高分辨率紅色MicroLED顯示屏（業界公認實現難度最高的MicroLED技術方向）的可行性。預計這項技術將廣泛應用于各類下一代顯示場景，包括對屏幕噪點要求近乎嚴苛的AR/VR智能眼鏡、車載抬頭顯示器（HUD）以及超小型可穿戴設備等。

仁荷大學金相鉉教授表示，這項研究同時解決了MicroLED領域長期存在的紅色像素效率偏低與驅動電路集成難度大兩大痛點。